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CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是德州仪器的CSD85312Q3E的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：NexFET™；FET类型：2 N 沟道（双）共源；FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：20V；


  • 厂商：德州仪器
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：NexFET™
  • FET类型：2 N 沟道（双）共源
  • FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
  • 漏源极电压（Vdss）：20V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：39A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：12.4 毫欧 @ 10A，8V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：15.2nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：2390pF @ 10V
  • 功率-最大值：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：8-SON（3.3x3.3）
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