CSD87333Q3D
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是德州仪器的CSD87333Q3D的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:NexFET™;FET类型:2 N 沟道(双)非对称型;FET功能:逻辑电平栅极,5V 驱动;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:德州仪器
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:NexFET™
- FET类型:2 N 沟道(双)非对称型
- FET功能:逻辑电平栅极,5V 驱动
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):15A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):14.3 毫欧 @ 4A,8V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):662pF @ 15V
- 功率-最大值:6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:8-VSON(3.3x3.3)