ECH8695R-TL-W

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的ECH8695R-TL-W的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：24V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 N 沟道（双）共漏
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：24V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：9.1 毫欧 @ 5A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：SOT-28FL/ECH8

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