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综述介绍

IRFI4019HG-117P

IRFI4019HG-117P

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是国际整流器公司的IRFI4019HG-117P的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：150V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8.7A；

厂商：国际整流器公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：150V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8.7A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：95 毫欧 @ 5.2A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：810pF @ 25V
功率-最大值：18W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-5 全封装（成形引线）
供应商器件封装：TO-220-5 整包

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