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综述介绍

DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DMN3035LWN-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.5A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：35 毫欧 @ 4.8A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：9.9nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：399pF @ 15V
功率-最大值：770mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：V-DFN3020-8

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