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综述介绍

DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DMN1033UCB4-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平门；不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：37nC @ 4.5V；功率-最大值：1.45W；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 N 沟道（双）共漏
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：-
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：37nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：1.45W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：4-UFBGA
供应商器件封装：U-WLB1818-4

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