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综述介绍

DMC1029UFDB-7

DMC1029UFDB-7

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DMC1029UFDB-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：12V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.6A， 3.8A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.6A， 3.8A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：29 毫欧 @ 5A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：19.6nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：914pF @ 6V
功率-最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：U-DFN2020-6

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