CWDM305ND TR13
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是中央半导体公司的CWDM305ND TR13的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.8A;
- 厂商:中央半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.8A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):30 毫欧 @ 2.9A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):6.3nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):560pF @ 10V
- 功率-最大值:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC