EM6K31GT2R

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的EM6K31GT2R的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：250mA；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：250mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：15pF @ 25V
功率-最大值：120mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：EMT6

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