AON7932

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是万国半导体元件有限公司的AON7932的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：2 个 N 通道（半桥）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.6A，8.1A；

厂商：万国半导体元件有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 通道（半桥）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.6A，8.1A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：20 毫欧 @ 6.6A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：460pF @ 15V
功率-最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN-EP（3x3）

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