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综述介绍

LN60A01ES-LF-Z

LN60A01ES-LF-Z

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是单片电力系统公司的LN60A01ES-LF-Z的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：3 N 沟道，共栅；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80mA；

厂商：单片电力系统公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：3 N 沟道，共栅
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：190 欧姆 @ 10mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：1.3W
安装类型：*
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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