DMHC10H170SFJ-13

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DMHC10H170SFJ-13的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：*可替代的包装；FET类型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.9A，2.3A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：*可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.9A，2.3A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：160 毫欧 @ 5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：9.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1167pF @ 25V
功率-最大值：2.1W
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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