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SUD50NP04-77P-T4E3

SUD50NP04-77P-T4E3

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是威世硅尼克斯的SUD50NP04-77P-T4E3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：TrenchFET®；FET类型：N 和 P 沟道，共漏；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：40V；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：TrenchFET®
  • FET类型：N 和 P 沟道，共漏
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：40V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：37 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：640pF @ 20V
  • 功率-最大值：10.8W，24W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
  • 供应商器件封装：TO-252-4L
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