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综述介绍

SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世硅尼克斯的SI8900EDB-T2-E1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：TrenchFET®
FET类型：2 N 沟道（双）共漏
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.4A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 1.1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：10-UFBGA，CSPBGA
供应商器件封装：10-Micro Foot™ CSP（2x5）

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