LN100LA-G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美国微芯科技公司的LN100LA-G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 N-沟道（级联）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）；不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3000 欧姆 @ 2mA，2.8V；

厂商：美国微芯科技公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：2 N-沟道（级联）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3000 欧姆 @ 2mA，2.8V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.6V @ 10µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：50pF @ 25V
功率-最大值：350mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VFLGA
供应商器件封装：6-LFGA（3x3）

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