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FMM60-02TF

FMM60-02TF

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是IXYS的FMM60-02TF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：HiPerFET™；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：200V；


  • 厂商：IXYS
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：HiPerFET™
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：200V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：33A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：40 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：90nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：3700pF @ 25V
  • 功率-最大值：125W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：i4-Pac™-5
  • 供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC™
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