GMM3X60-015X2-SMD
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是IXYS的GMM3X60-015X2-SMD的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:托盘 可替代的包装;FET类型:6 N-沟道(3 相桥);FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):150V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):50A;
- 厂商:IXYS
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:托盘 可替代的包装
- 系列:-
- FET类型:6 N-沟道(3 相桥)
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):150V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):50A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):24 毫欧 @ 38A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):97nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):5800pF @ 25V
- 功率-最大值:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:ISOPLUS-DIL™
- 供应商器件封装:ISOPLUS-DIL™