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综述介绍

VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世硅尼克斯的VQ1001P-E3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：*；FET类型：4 个 N 通道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：830mA；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：*
系列：-
FET类型：4 个 N 通道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：830mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.75 欧姆 @ 200mA，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：110pF @ 15V
功率-最大值：2W
安装类型：*
封装/外壳：-
供应商器件封装：*

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