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VQ1006P-2

VQ1006P-2

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是威世硅尼克斯的VQ1006P-2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：*；FET类型：4 个 N 通道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：90V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：400mA；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：*
  • 系列：-
  • FET类型：4 个 N 通道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：90V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：400mA
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.5 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：60pF @ 25V
  • 功率-最大值：2W
  • 安装类型：*
  • 封装/外壳：-
  • 供应商器件封装：*
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