Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 阵列 > UPA2373T1P-E4-A

综述介绍

UPA2373T1P-E4-A

UPA2373T1P-E4-A

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的UPA2373T1P-E4-A的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：*；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：22nC @ 4V；功率-最大值：1.3W；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：*
系列：-
FET类型：2 N 沟道（双）共漏
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：-
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：22nC @ 4V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：1.3W
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号