NTMFD4901NFT1G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NTMFD4901NFT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 个 N 通道（双），肖特基；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10.3A，17.9A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 通道（双），肖特基
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10.3A，17.9A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：6.5 毫欧 @ 10A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：9.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1150pF @ 15V
功率-最大值：1.1W，1.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）

PDF 下载