BUK9K5R6-30EX
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是恩智浦半导体公司的BUK9K5R6-30EX的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);FET类型:2 个 N 沟道(双);漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):40A;安装类型:表面贴装;
- 厂商:恩智浦半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:-
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):40A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):-
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):-
- 功率-最大值:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-1205,8-LFPAK56
- 供应商器件封装:LFPAK56D