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综述介绍

ZXMC3A18DN8TA

ZXMC3A18DN8TA

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的ZXMC3A18DN8TA的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.8A，4.8A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.8A，4.8A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：25 毫欧 @ 5.8A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA（最小）
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：36nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1800pF @ 25V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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