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综述介绍

AUIRFN8459TR

AUIRFN8459TR

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是国际整流器公司的AUIRFN8459TR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：HEXFET®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：40V；

厂商：国际整流器公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：HEXFET®
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：50A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.9 毫欧 @ 40A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：60nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2250pF @ 25V
功率-最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）

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