IRF9395MTRPBF
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是国际整流器公司的IRF9395MTRPBF的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:HEXFET®;FET类型:2 个 P 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:国际整流器公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:HEXFET®
- FET类型:2 个 P 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):14A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):7 毫欧 @ 14A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V @ 50µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):64nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):3241pF @ 15V
- 功率-最大值:2.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET™ 等距 MC
- 供应商器件封装:DIRECTFET™ MC