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ALD111933MAL

ALD111933MAL

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是美国先进线性电子器件公司的ALD111933MAL的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：EPAD®；FET类型：2 N 沟道（双）配对；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：10.6V；


  • 厂商：美国先进线性电子器件公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：EPAD®
  • FET类型：2 N 沟道（双）配对
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：10.6V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：500 欧姆 @ 5.9V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.35V @ 1µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：2.5pF @ 5V
  • 功率-最大值：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-MSOP
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