ALD114804PCL
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是美国先进线性电子器件公司的ALD114804PCL的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:EPAD®;FET类型:4 N 沟道,配对;FET功能:耗尽模式;漏源极电压(Vdss):10.6V;
- 厂商:美国先进线性电子器件公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:EPAD®
- FET类型:4 N 沟道,配对
- FET功能:耗尽模式
- 漏源极电压(Vdss):10.6V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):12mA,3mA
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):500 欧姆 @ 3.6V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):360mV @ 1µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):2.5pF @ 5V
- 功率-最大值:500mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:16-DIP(0.300,7.62mm)
- 供应商器件封装:16-PDIP