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综述介绍

SMA5112

SMA5112

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是三垦的SMA5112的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：6 N-沟道（3 相桥）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：250V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7A；

厂商：三垦
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：250V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：500 毫欧 @ 3.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：450pF @ 10V
功率-最大值：4W
安装类型：通孔
封装/外壳：12-SIP，裸焊盘
供应商器件封装：12-SIP

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