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MCH6603-TL-H

MCH6603-TL-H

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是安森美半导体公司的MCH6603-TL-H的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 P 沟道（双）；FET功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：50V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：140mA；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：-
  • FET类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
  • 漏源极电压（Vdss）：50V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：140mA
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：23 欧姆 @ 40mA，4V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.4nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：7.4pF @ 10V
  • 功率-最大值：800mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装：6-MCPH
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