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综述介绍

ECH8690-TL-H

ECH8690-TL-H

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的ECH8690-TL-H的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平栅极，4V 驱动；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.7A，3.5A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.7A，3.5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：55 毫欧 @ 2A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：18nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：955pF @ 20V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：8-ECH

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