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综述介绍

NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NVMD4N03R2G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：60 毫欧 @ 4A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：16nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：400pF @ 20V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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