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BSO612CV G

BSO612CV G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是英飞凌科技公司的BSO612CV G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：SIPMOS®；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：SIPMOS®
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：60V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A，2A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：120 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 20µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：15.5nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：340pF @ 25V
  • 功率-最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：PG-DSO-8
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