Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 阵列 > BSO612CV G

综述介绍

BSO612CV G

BSO612CV G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的BSO612CV G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；系列：SIPMOS®；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：SIPMOS®
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A，2A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：120 毫欧 @ 3A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 20µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：15.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：340pF @ 25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号