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综述介绍

HCT802

HCT802

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是梯梯电子集团奥派科技有限公司的HCT802的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：90V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2A，1.1A；

厂商：梯梯电子集团奥派科技有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：90V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2A，1.1A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5 欧姆 @ 1A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：70pF @ 25V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-SMD，无引线
供应商器件封装：6-SMD

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