TPCF8201(TE85L,F,M
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是东芝半导体的TPCF8201(TE85L,F,M的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):20V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A;
- 厂商:东芝半导体
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):49 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):7.5nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):590pF @ 10V
- 功率-最大值:330mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:VS-8(2.9x1.9)