XN0187200L

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是松下电器公司电子元件-半导体产品事业部的XN0187200L的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：50V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100mA；

厂商：松下电器公司电子元件-半导体产品事业部
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：50V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：50 欧姆 @ 20mA，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：15pF @ 5V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74A，SOT-753
供应商器件封装：迷你型5-G1

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