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综述介绍

SIA914DJ-T1-E3

SIA914DJ-T1-E3

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世硅尼克斯的SIA914DJ-T1-E3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：TrenchFET®
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：53 毫欧 @ 3.7A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：11.5nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：400pF @ 10V
功率-最大值：6.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装：PowerPAK® SC-70-6 双

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