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AON5802A

AON5802A

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是万国半导体元件有限公司的AON5802A的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.2A；


  • 厂商：万国半导体元件有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.2A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：20 毫欧 @ 7.2A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：10.7nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1115pF @ 15V
  • 功率-最大值：1.7W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘
  • 供应商器件封装：6-DFN-EP（2x5）
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