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综述介绍

TPC8213-H(TE12LQ,M

TPC8213-H(TE12LQ,M

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的TPC8213-H(TE12LQ,M的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5A；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：50 毫欧 @ 2.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：11nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：625pF @ 10V
功率-最大值：450mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

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