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综述介绍

SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世硅尼克斯的SIB911DK-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：2 个 P 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：20V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：TrenchFET®
FET类型：2 个 P 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.6A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：295 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：4nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：115pF @ 10V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® SC-75-6L 双
供应商器件封装：PowerPAK® SC-75-6L 双

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