CPH6616-TL-E

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是三洋半导体（美国）有限公司的CPH6616-TL-E的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.5A；

厂商：三洋半导体（美国）有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：105 毫欧 @ 1.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：187pF @ 10V
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-CPH

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