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综述介绍

SH8M70TB1

SH8M70TB1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的SH8M70TB1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：250V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A，2.5A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：250V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A，2.5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.63 欧姆 @ 1.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：180pF @ 25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP

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