SI4816DY-T1-E3
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是威世硅尼克斯的SI4816DY-T1-E3的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:LITTLE FOOT®;FET类型:2 个 N 通道(半桥);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:威世硅尼克斯
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:LITTLE FOOT®
- FET类型:2 个 N 通道(半桥)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.3A,7.7A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):22 毫欧 @ 6.3A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):12nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):-
- 功率-最大值:1W,1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO