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IRF7755TR

IRF7755TR

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是国际整流器公司的IRF7755TR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：HEXFET®；FET类型：2 个 P 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；


  • 厂商：国际整流器公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：HEXFET®
  • FET类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：20V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.9A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：51 毫欧 @ 3.7A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：17nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1090pF @ 15V
  • 功率-最大值：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-TSSOP
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