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综述介绍

FDG6314P

FDG6314P

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的FDG6314P的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 P 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：25V；安装类型：表面贴装；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：2 个 P 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

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