FDC6432SH
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是飞兆半导体公司的FDC6432SH的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);系列:PowerTrench®,SyncFET™;FET类型:N 和 P 沟道;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V,12V;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:PowerTrench®,SyncFET™
- FET类型:N 和 P 沟道
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V,12V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.4A,2.5A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):90 毫欧 @ 2.4A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):3.5nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):270pF @ 15V
- 功率-最大值:700mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 供应商器件封装:6-SSOT