FDW2511NZ
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是飞兆半导体公司的FDW2511NZ的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);系列:PowerTrench®;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):20V;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:PowerTrench®
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.1A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):20 毫欧 @ 7.1A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17.3nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1000pF @ 10V
- 功率-最大值:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
- 供应商器件封装:8-TSSOP