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综述介绍

UPA2792AGR-E1-AT

UPA2792AGR-E1-AT

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的UPA2792AGR-E1-AT的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：12.5 毫欧 @ 5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：42nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2200pF @ 10V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerSOIC（0.173，4.40mm）
供应商器件封装：8-SOP

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