ZXMP3F37DN8TA
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是Diodes公司的ZXMP3F37DN8TA的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);FET类型:2 个 P 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.7A;
- 厂商:Diodes公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- FET类型:2 个 P 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.7A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):25 毫欧 @ 7.1A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):31.6nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1678pF @ 15V
- 功率-最大值:1.81W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO