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综述介绍

NTLJD2104PTBG

NTLJD2104PTBG

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NTLJD2104PTBG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 个 P 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：12V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.4A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 P 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.4A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：90 毫欧 @ 3A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：467pF @ 6V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-WDFN（2x2）

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